Справочник MOSFET. TSD10N06AT

 

TSD10N06AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSD10N06AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TSD10N06AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD10N06AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn wuxi unigroup
 tsd10n06at.pdf pdf_icon

TSD10N06AT

TSD10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Company 60V N-Channel DTMOS FEATURES Trench Power DTMOS technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications APPLICATIONS Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial Device Marking and Package Information Device Pa

Другие MOSFET... TPW65R090M , TPW65R190MFD , TPW70R100MFD , TPW80R200MFD , TPW80R300MFD , TPY70R1K5MB , TSB15N06A , TSB15N10A , IRF540 , TSD120N10AT , TSP120N10AT , TSG120N10AT , TSD12N06AT , TSG017N045AT , TSG10N06AT , TSG12N06AT , TSG12N10AT .

History: NTD18N06 | MTN3820J3 | AP2RA04GMT-HF | IXTQ44P15T | S-LBSS138LT1G | SIR770DP | 7240

 

 
Back to Top

 


 
.