Справочник MOSFET. VBM165R18

 

VBM165R18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBM165R18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для VBM165R18

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBM165R18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1061K  cn vbsemi
vbm165r18.pdfpdf_icon

VBM165R18

VBM165R18www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.34 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) 106 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche en

 6.1. Size:1406K  cn vbsemi
vbm165r10 vbmb165r10 vbl165r10.pdfpdf_icon

VBM165R18

VBM165R10 / VBMB165R10/ VBL165R10www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHSRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.8643 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche ener

 6.2. Size:1339K  cn vbsemi
vbm165r12 vbmb165r12 vbl165r12.pdfpdf_icon

VBM165R18

VBM165R12 / VBMB165R12/ VBL165R12www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)

 6.3. Size:1284K  cn vbsemi
vbm165r10 vbmb165r10 vbe165r10 vbfb165r10.pdfpdf_icon

VBM165R18

VBM165R10 / VBMB165R10VBE165R10 / VBFB165R10www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy

Другие MOSFET... VBM165R10 , VBMB165R10 , VBE165R10 , VBFB165R10 , VBL165R10 , VBM165R12 , VBMB165R12 , VBL165R12 , IRF4905 , VBM165R20S , VBMB165R20S , VBP165R20S , VBL165R20S , VBM1680 , VBM16R02 , VBMB16R02 , VBE16R02 .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.