VBM165R18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBM165R18
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34(typ) Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VBM165R18
VBM165R18 Datasheet (PDF)
vbm165r18.pdf

VBM165R18www.VBsemi.comN-Channel 650 V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) at TJ max. 650 Reduced trr, Qrr, and IRRMRDS(on) max. () at 25 C VGS = 10 V 0.34 Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgQg max. (nC) 106 Low input capacitance (Ciss)Qgs (nC) 14 Low switching losses due to reduced Qrr Ultra low gate charge (Qg)Qgd (nC) 33 Avalanche en
vbm165r10 vbmb165r10 vbl165r10.pdf

VBM165R10 / VBMB165R10/ VBL165R10www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHSRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.8643 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche ener
vbm165r12 vbmb165r12 vbl165r12.pdf

VBM165R12 / VBMB165R12/ VBL165R12www.VBsemi.comN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.6843 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)
vbm165r10 vbmb165r10 vbe165r10 vbfb165r10.pdf

VBM165R10 / VBMB165R10VBE165R10 / VBFB165R10www.VBsemi.comN hannel 650 D S Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 650 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.9 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC)57 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC)4.0 Avalanche energy
Другие MOSFET... VBM165R10 , VBMB165R10 , VBE165R10 , VBFB165R10 , VBL165R10 , VBM165R12 , VBMB165R12 , VBL165R12 , IRF4905 , VBM165R20S , VBMB165R20S , VBP165R20S , VBL165R20S , VBM1680 , VBM16R02 , VBMB16R02 , VBE16R02 .
History: YJL2312AL | AOT2146L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor