VBZE12P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBZE12P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для VBZE12P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBZE12P10 даташит

 ..1. Size:834K  cn vbsemi
 vbze12p10.pdf pdf_icon

VBZE12P10

VBZE12P10 www.VBsemi.com P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.180 at VGS = - 10 V - 7.5 TrenchFET Power MOSFET - 100 11 0.200 at VGS = - 4.5 V - 6 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/DC Con

 8.1. Size:1633K  cn vbsemi
 vbze12n06.pdf pdf_icon

VBZE12P10

VBZE12N06 www.VBsemi.com N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.095at VGS = 10 V 16 Material categorization 60 19.8 For definitions of compliance please see 0.110 at VGS = 4.5 V 13 TO-252 APPLICATIONS D DC/DC Converters DC/AC Inverters Motor Dr

 8.2. Size:2307K  cn vbsemi
 vbze12n03.pdf pdf_icon

VBZE12P10

VBZE12N03 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.014at VGS = 10 V 40 30 28nC 0.020at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS D OR-ing Server TO-252 DC/DC G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLU

 8.3. Size:1444K  cn vbsemi
 vbze12n10.pdf pdf_icon

VBZE12P10

VBZE12N10 www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 at VGS = 10 V 0.090 17 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VBZE06N03, VBZE100N02, VBZE100N03, VBZE100P03, VBZE10N20, VBZE12N03, VBZE12N06, VBZE12N10, 2SK3568, VBZE15N03, VBZE15N10, VBZE16N05, VBZE20N03, VBZE20N06, VBZE20N10, VBZE20N20, VBZE20P03