ZXMP10A17GTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMP10A17GTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.200 typ Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZXMP10A17GTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMP10A17GTA даташит

 ..1. Size:762K  cn vbsemi
 zxmp10a17gta.pdf pdf_icon

ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA www.VBsemi.tw P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Applicatio

 4.1. Size:636K  diodes
 zxmp10a17g.pdf pdf_icon

ZXMP10A17GTA

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMP10A17G 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID V(BR)DSS RDS(on) Low gate drive TA = 25 C Low input capacitance 350m @ VGS= -10V -2.4 Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -10

 5.1. Size:699K  diodes
 zxmp10a17e6 zxmp10a17e6ta.pdf pdf_icon

ZXMP10A17GTA

A Product Line of Diodes Incorporated ZXMP10A17E6 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID V(BR)DSS RDS(on) Low gate drive TA = 25 C Low input capacitance 350m @ VGS= -10V -1.6 Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability -1

 5.2. Size:639K  diodes
 zxmp10a17e6q.pdf pdf_icon

ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17E6Q 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C Low Gate Drive 350m @ VGS= -10V -1.6A Low Input Capacitance -100V 450m @ VGS= -6.0V -1.4A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... WPM2015-3-TR, WPM2341A-3-TR, XP132A1275SR, XP161A11A1PR, XP161A1355PR, XP202A0003PR, ZXMC6A09DN8T, ZXMN4A06GT, IRFP064N, ZXMP6A18DN8TA, NCE0102, NCE0103M, NCE0103Y, NCE0106R, NCE0106Z, NCE0110AK, NCE0110AS