Справочник MOSFET. NCE2010E

 

NCE2010E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE2010E
   Маркировка: 2010E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для NCE2010E

 

 

NCE2010E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:298K  ncepower
 nce2010e.pdf

NCE2010E NCE2010E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2010ENCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2010E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications .It is ESD protested. Schematic diagram General Features

 8.1. Size:371K  ncepower
 nce2012.pdf

NCE2010E NCE2010E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2012NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2012 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =12A Schematic diagram RDS(ON)

 8.2. Size:691K  ncepower
 nce2013j.pdf

NCE2010E NCE2010E

http://www.ncepower.comNCE2013JNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE2013J uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages .This device is suitable for use as a load switchingapplication and a wide variety of other applications.General FeaturesSchematic diagram V = 20V,I = 13ADS DR

 8.3. Size:413K  ncepower
 nce2014es.pdf

NCE2010E NCE2010E

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE2014ESNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2014ES uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =14A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top