Справочник MOSFET. NCE30H15K

 

NCE30H15K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE30H15K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 38 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE30H15K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30H15K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  ncepower
nce30h15k.pdfpdf_icon

NCE30H15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE30H15KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =150A RDS(ON)

 6.1. Size:754K  ncepower
nce30h15bg.pdfpdf_icon

NCE30H15K

http://www.ncepower.com NCE30H15BGNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =30V,I =150ADS DDescriptionR

 6.2. Size:723K  ncepower
nce30h15b.pdfpdf_icon

NCE30H15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15B uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR

 6.3. Size:693K  ncepower
nce30h15bk.pdfpdf_icon

NCE30H15K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE30H15BKNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE30H15BK uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =150ADS DR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.