NCE30ND07S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE30ND07S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для NCE30ND07S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE30ND07S даташит

 ..1. Size:356K  ncepower
 nce30nd07s.pdf pdf_icon

NCE30ND07S

Pb Free Product NCE30ND07S http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 5.1. Size:368K  ncepower
 nce30nd07as.pdf pdf_icon

NCE30ND07S

NCE30ND07AS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =7A RDS(ON)

 5.2. Size:292K  ncepower
 nce30nd07bs.pdf pdf_icon

NCE30ND07S

NCE30ND07BS http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND07BS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =6.5A RDS(ON)

 6.1. Size:384K  ncepower
 nce30nd09s.pdf pdf_icon

NCE30ND07S

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE30ND09S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30ND09S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features VDS =30V,ID =9A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30H11BK, NCE30H11K, NCE30H12, NCE30H14K, NCE30H15, NCE30H15K, NCE30H29D, NCE30ND07AS, IRFB7545, NCE30ND09S, NCE30NP07S, NCE30NP1812K, NCE30P12S, NCE30P15S, NCE30P20Q, NCE30P25S, NCE30P28Q