Справочник MOSFET. NCE4009S

 

NCE4009S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE4009S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для NCE4009S

 

 

NCE4009S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  ncepower
 nce4009s.pdf

NCE4009S NCE4009S

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE4009S NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4009S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Schematic diagram General Features N-Channel VDS =4

 8.1. Size:656K  ncepower
 nce4005.pdf

NCE4009S NCE4009S

http://www.ncepower.comNCE4005NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDDescriptionThe NCE4005 uses advanced trench technology to provideGexcellent R , low gate charge. This device is suitable forDS(ON)use as a Battery protection or in other switching application.SGeneral FeaturesSchematic Diagram V =40V,I =5ADS DR = 22m @ V =10V(Typ)DS(ON) GSR = 36m @

 8.2. Size:696K  ncepower
 nce4003a.pdf

NCE4009S NCE4009S

http://www.ncepower.comNCE4003ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDDescriptionThe NCE4003A uses advanced trench technology to provideGexcellent R , low gate charge. This device is suitable forDS(ON)use as a Battery protection or in other switching application.SGeneral FeaturesSchematic Diagram V =40V,I =3ADS DR = 32m @ V =10V(Typ)DS(ON) GSR = 43m

 8.3. Size:681K  ncepower
 nce4003.pdf

NCE4009S NCE4009S

http://www.ncepower.comNCE4003NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDDescriptionThe NCE4003 uses advanced trench technology to provideGexcellent R , low gate charge. This device is suitable forDS(ON)use as a Battery protection or in other switching application.SGeneral FeaturesSchematic Diagram V =40V,I =3ADS DR = 33m @ V =10V(Typ)DS(ON) GSR = 52m @

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE30NP1812K

 

 
Back to Top