Справочник MOSFET. NCE40H29D

 

NCE40H29D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCE40H29D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 290 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 239 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 1160 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для NCE40H29D

 

 

NCE40H29D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  ncepower
nce40h29d.pdf

NCE40H29D NCE40H29D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H29DNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H29D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V ,ID =290A RDS(ON)

 7.1. Size:339K  ncepower
nce40h25ll.pdf

NCE40H29D NCE40H29D

http://www.ncepower.com NCE40H25LLNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description VDS =40V ,ID =250A The NCE40H25LL uses advanced trench technology and RDS(ON)

 7.2. Size:361K  ncepower
nce40h21.pdf

NCE40H29D NCE40H29D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H21NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H21 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V ,ID =210A Schematic diagram RDS(ON)

 7.3. Size:336K  ncepower
nce40h20a.pdf

NCE40H29D NCE40H29D

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE40H20ANCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H20A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 40V,ID =200A RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top