2SK3572-Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK3572-Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK3572-Z Datasheet (PDF)
2sk3572 2sk3572-s 2sk3572-z 2sk3572-zk.pdf

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3572SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FET ORDERING INFORMATIONDESCRIPTION The 2SK3572 is N-channel MOS FET device that features aPART NUMBER PACKAGElow on-state resistance and excellent switching characteristics,2SK3572 TO-220ABdesigned for low voltage high current applications such as2SK3572-S TO-262DC/DC converter with synchronous
2sk3572-z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3572-ZFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
2sk3572-zk.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3572-ZKFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole
2sk3572-s.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3572-SFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 20V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 5.7m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: PSMN4R2-60PL | CEU01N7 | FMW60N190S2HF | STL11N4LLF5
History: PSMN4R2-60PL | CEU01N7 | FMW60N190S2HF | STL11N4LLF5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404