Справочник MOSFET. STU04N20

 

STU04N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU04N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU04N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  samhop
 stu04n20 std04n20.pdf pdf_icon

STU04N20

STU04N20GreenProductSTD04N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.1.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO

Другие MOSFET... FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0F085 , FDD306P , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , 7N60 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A .

History: IRFB3077 | SIHG47N60S | IPD040N03LG | 9N95 | IPN50R3K0CE | AON7422G | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.