Справочник MOSFET. STU04N20

 

STU04N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU04N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
 

 Аналог (замена) для STU04N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU04N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  samhop
 stu04n20 std04n20.pdf pdf_icon

STU04N20

STU04N20GreenProductSTD04N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.1.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BSB008NE2LX | BSB012N03LX3 | SIA437DJ | IXFR32N50Q

 

 
Back to Top

 


 
.