STU04N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STU04N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
Аналог (замена) для STU04N20
STU04N20 Datasheet (PDF)
stu04n20 std04n20.pdf

STU04N20GreenProductSTD04N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.1.4 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.200V 4A 1.6 @ VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO
Другие MOSFET... FDD2582 , FDD2670 , STU09N25 , FDD26AN06A0F085 , FDD306P , FDD3510H , STU06L01 , FDD3670 , IRF2807 , FDD3672 , STU03N20 , FDD3672F085 , STU03L07 , STU03L01 , FDD3680 , FDD3682F085 , STT812A .
History: WMT04P10TS
History: WMT04P10TS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015