Справочник MOSFET. FDD3672F085

 

FDD3672F085 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDD3672F085
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для FDD3672F085

 

 

FDD3672F085 Datasheet (PDF)

 7.1. Size:268K  fairchild semi
 fdd3672.pdf

FDD3672F085 FDD3672F085

March 2010FDD3672N-Channel UltraFET Trench MOSFET100V, 44A, 28mFeatures Applications rDS(ON) = 24m (Typ.), VGS = 10V, ID = 44A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 24nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectif

 7.2. Size:111K  fairchild semi
 fdd3672 f085.pdf

FDD3672F085 FDD3672F085

March 2011FDD3672_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m ApplicationsFeatures DC/DC converters and Off-Line UPS Typ rDS(on) = 24m at VGS = 10V, ID = 44A Distributed Power Architectures and VRMs Typ Qg(10) = 24nC at VGS = 10V Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Miller Charge Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectifier Optimized efficie

 7.3. Size:1737K  onsemi
 fdd3672.pdf

FDD3672F085 FDD3672F085

 7.4. Size:111K  onsemi
 fdd3672 f085.pdf

FDD3672F085 FDD3672F085

March 2011FDD3672_F085N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28m ApplicationsFeatures DC/DC converters and Off-Line UPS Typ rDS(on) = 24m at VGS = 10V, ID = 44A Distributed Power Architectures and VRMs Typ Qg(10) = 24nC at VGS = 10V Primary Switch for 24V and 48V Systems Low Miller Charge Low Qrr Body Diode High Voltage Synchronous Rectifier Optimized efficie

 7.5. Size:860K  cn vbsemi
 fdd3672.pdf

FDD3672F085 FDD3672F085

FDD3672www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSV(BR)DSS (V) rDS(on) ()ID (A)Available 175 C Junction Temperature0.030 at VGS = 10 V40RoHS*100 Low Thermal Resistance Package0.035 at VGS = 4.5 V37COMPLIANTDTO-252GG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top