STF140N6F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF140N6F7
Маркировка: 140N6F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 55 nC
Время нарастания (tr): 68 ns
Выходная емкость (Cd): 1520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для STF140N6F7
STF140N6F7 Datasheet (PDF)
stf140n6f7.pdf
STF140N6F7 N-channel 60 V, 0.0031 typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF140N6F7 60 V 0.0035 70 A 33 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applica
stf140n8f7.pdf
STF140N8F7 N-channel 80 V, 3.5 m typ., 64 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTF140N8F7 80 V 4.3 m 64 A 35 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Application
stb14nm50n std14nm50n stp14nm50n stf14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmesh II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stb14nm65n stf14nm65n.pdf
STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V
stb14nm50n std14nm50n stf14nm50n stp14nm50n.pdf
STB14NM50N, STD14NM50NSTF14NM50N, STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFETin DPAK, D2PAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID3TJmax max13STB14NM50N2DPAK1STD14NM50N550 V
stb14nm65n stb14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stp14nm65n stw14nm65n stf14nm65n sti14nm65n stw14nm65n.pdf
STB14NM65N, STF14NM65NSTI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65NN-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID(@TJmax) max32312STI14NM65N 710 V
stf14nm50n sti14nm50n stp14nm50n.pdf
STF14NM50N, STI14NM50N,STP14NM50NN-channel 500 V, 0.28 typ., 12 A MDmesh II Power MOSFETsin TO-220FP, IPAK and TO-220 packagesDatasheet - production dataFeatures VDS @ RDS(on) Order codes IDTJmax max3STF14NM50N21STI14NM50N 550 V 0.32 12 A TO-220FPSTP14NM50NTABTAB 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge33TO-220 2I
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
