Справочник MOSFET. SI3469DV

 

SI3469DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3469DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3469DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3469DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  vishay
si3469dv.pdfpdf_icon

SI3469DV

Si3469DVVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.030 at VGS = - 10 V - 6.7 TrenchFET Power MOSFET- 200.051 at VGS = - 4.5 V - 5.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch- Notebook PC- Game MachineTSOP-6- Desktop

 9.1. Size:242K  vishay
si3460bdv.pdfpdf_icon

SI3469DV

Si3460BDVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = 4.5 V 8 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 9 nC0.040 at VGS = 1.8 V 8APPLICATIONS Load Switch for Portable Applica

 9.2. Size:211K  vishay
si3460bd.pdfpdf_icon

SI3469DV

Si3460BDVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.027 at VGS = 4.5 V 8 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.032 at VGS = 2.5 V 20 8 9 nC0.040 at VGS = 1.8 V 8APPLICATIONS Load Switch for Portable Applica

 9.3. Size:231K  vishay
si3464dv.pdfpdf_icon

SI3469DV

New ProductSi3464DVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.024 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET8a 100 % Rg Tested20 0.028 at VGS = 2.5 V 8a 11 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.030 at VGS = 1.8 V 7.1APPLICATIO

Другие MOSFET... SI1016X , SI1024X , SI1078X , SI1900DL , SI1902DL , SI2308CDS , SI3440ADV , SI3460BDV , IRFB3607 , SI3493DDV , SI3993DV , SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY .

History: SFW9644 | BRI3N80 | NCE0140K2 | SML5022BN | DMG8822UTS | SL12N100F | RJK0214DPA

 

 
Back to Top

 


 
.