SI4850BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4850BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.1 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 330 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0195 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4850BDY Datasheet (PDF)
si4850bdy.pdf
Si4850BDYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD TrenchFET Gen IV power MOSFETD 5D 6 100 % Rg and UIS testedD 7 Material categorization:8for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999124APPLICATIONS DG33 Synchronous rectification SS22SS11 Primary side switchS
si4850ey.pdf
Si4850EYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8 SD1 8 SD2 7
si4850ey-t1 si4850ey.pdf
Si4850EYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8 SD1 8 SD2 7
si4850dy-t1.pdf
SI4850DY-T1www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = 10 V 7.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.030 at VGS = 4.5 V 6.5Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD CCF
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
