SI4850BDY - описание и поиск аналогов

 

SI4850BDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4850BDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI4850BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4850BDY даташит

 ..1. Size:289K  vishay
 si4850bdy.pdf pdf_icon

SI4850BDY

Si4850BDY www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES SO-8 Single D TrenchFET Gen IV power MOSFET D 5 D 6 100 % Rg and UIS tested D 7 Material categorization 8 for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 4 APPLICATIONS D G 3 3 Synchronous rectification S S 2 2 S S 1 1 Primary side switch S

 8.1. Size:243K  vishay
 si4850ey.pdf pdf_icon

SI4850BDY

Si4850EY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 SD 1 8 SD 2 7

 8.2. Size:246K  vishay
 si4850ey-t1 si4850ey.pdf pdf_icon

SI4850BDY

Si4850EY Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.022 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.031 at VGS = 4.5 V 7.2 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 SD 1 8 SD 2 7

 8.3. Size:852K  cn vbsemi
 si4850dy-t1.pdf pdf_icon

SI4850BDY

SI4850DY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 10 V 7.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.030 at VGS = 4.5 V 6.5 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D CCF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4058DY , SI4062DY , SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , AON7506 , SI4925BDY , SI4936ADY , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN .

History: TN0106 | FDMS3604AS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.