Справочник MOSFET. SI4936ADY

 

SI4936ADY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4936ADY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4936ADY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4936ADY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  vishay
 si4936ady.pdf pdf_icon

SI4936ADY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

 6.1. Size:238K  vishay
 si4936ad.pdf pdf_icon

SI4936ADY

Si4936ADYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.9 TrenchFET Power MOSFET300.053 at VGS = 4.5 V 4.9 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25 G1 G2Top ViewS1 S2

 8.1. Size:249K  vishay
 si4936cd.pdf pdf_icon

SI4936ADY

New ProductSi4936CDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET5.830 2.8 nC0.050 at VGS = 4.5 V 5.5APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook System PowerSO-8 D1D2S1 D1

 8.2. Size:235K  vishay
 si4936bd.pdf pdf_icon

SI4936ADY

Si4936BDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = 10 V 6.9 TrenchFET Power MOSFET30 4.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.051 at VGS = 4.5 V 5.7APPLICATIONS Low Current DC/DC Conversion Notebook Syste

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4403DDY , SI4431BDY , SI4435FDY , SI4447DY , SI4804CDY , SI4848ADY , SI4850BDY , SI4925BDY , IRF1407 , SI4946CDY , SI4966DY , SI5948DU , SI7113ADN , SI7153DN , SI7218DN , SI7615CDN , SI7900AEDN .

History: SI4914DY | MTE130N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.