Справочник MOSFET. SQJ409EP

 

SQJ409EP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQJ409EP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SQJ409EP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQJ409EP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  vishay
sqj409ep.pdfpdf_icon

SQJ409EP

SQJ409EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPowerPAK SO-8L Single TrenchFET power MOSFET AEC-Q101 qualified 100 % Rg and UIS testedD Material categorization: for definitions of compliance please see 1www.vishay.com/doc?99912S2S3S4S1 GTop View Bottom ViewGPRODUCT SUMMARYVDS (V) -4

 9.1. Size:179K  vishay
sqj403eep.pdfpdf_icon

SQJ409EP

SQJ403EEPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) - 30 ESD Protection: 3000 VRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.0085 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.0200 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 30a Material categorization:Configuration SingleFor d

 9.2. Size:186K  vishay
sqj402ep.pdfpdf_icon

SQJ409EP

SQJ402EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES TrenchFET Power MOSFETPRODUCT SUMMARY AEC-Q101 QualifieddVDS (V) 100 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0110 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0140For definitions of compliance please seeID (A) 32www.vishay.com/doc?99912

 9.3. Size:205K  vishay
sqj403ep.pdfpdf_icon

SQJ409EP

SQJ403EPwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -30 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0085 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0200 Material categorization:ID (A) -30 afor definitions of compliance please see Configuration S

Другие MOSFET... SQD40081EL , SQJ148EP , SQJ158EP , SQJ200EP , SQJ202EP , SQJ260EP , SQJ262EP , SQJ407EP , P0903BDG , SQJ414EP , SQJ416EP , SQJ418EP , SQJ420EP , SQJ433EP , SQJ446EP , SQJ454EP , SQJ457EP .

History: ZXMP6A17E6

 

 
Back to Top

 


 
.