FDD5N53 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FDD5N53 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 530 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для FDD5N53
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDD5N53 даташит
fdd5n53 fdu5n53.pdf
January 2009 UniFETTM FDD5N53/FDU5N53 tm N-Channel MOSFET 530V, 4A, 1.5 Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advanced technology has been espe
fdd5n50u.pdf
December 2007 TM Ultra FRFET FDD5N50U tm N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3A, 2.0 Features Description RDS(on) = 1.65 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.5A These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( Typ. 11nC) DOMS technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advance technology h
fdd5n50f.pdf
December 2007 UniFETTM FDD5N50F tm N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 3.5A, 1.55 Features Description RDS(on) = 1.25 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 1.75A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advanced technology has
fdd5n50.pdf
December 2007 UniFETTM FDD5N50 tm N-Channel MOSFET 500V, 4A, 1.4 Features Description RDS(on) = 1.15 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 11nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 5pF) This advanced technology has been especiall
Другие IGBT... FDD5614P, FDD5670, FDD5810F085, FDD5N50, FDD5N50F, FDD5N50NZ, FDD5N50NZF, FDD5N50U, AOD4184A, FDD6530A, FDD6630A, STT03N20, FDD6635, FDD6637, FDD6637F085, FDD6680AS, STT03N10
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35











