Справочник MOSFET. STT03N20

 

STT03N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT03N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.6 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для STT03N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT03N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  samhop
 stt03n20.pdf pdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.2.43 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 0.7A2.66 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 8.1. Size:134K  samhop
 stt03n10.pdf pdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.235 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2.5A300 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.1. Size:134K  samhop
 stt03l06.pdf pdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03L06aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSurface Mount Package.60V 3A125 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.2. Size:134K  samhop
 stt03l03.pdf pdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03L03aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.104 @ VGS=10VSurface Mount Package.30V 3A149 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF , FDD5N50U , FDD5N53 , FDD6530A , FDD6630A , IRF740 , FDD6635 , FDD6637 , FDD6637F085 , FDD6680AS , STT03N10 , FDD6685 , FDD6760A , FDD6770A .

 

 
Back to Top

 


 
.