Справочник MOSFET. STT03N20

 

STT03N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STT03N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.43 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STT03N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  samhop
stt03n20.pdfpdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03N20aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.2.43 @ VGS=10VSurface Mount Package.200V 0.7A2.66 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

 8.1. Size:134K  samhop
stt03n10.pdfpdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03N10aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypRugged and reliable.235 @ VGS=10VSurface Mount Package.100V 2.5A300 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

 9.1. Size:134K  samhop
stt03l06.pdfpdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03L06aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.100 @ VGS=10VSurface Mount Package.60V 3A125 @ VGS=4.5V D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

 9.2. Size:134K  samhop
stt03l03.pdfpdf_icon

STT03N20

GreenProductSTT03L03aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.104 @ VGS=10VSurface Mount Package.30V 3A149 @ VGS=4.5V ESD Protected.D G GSSTT SERIES S SOT - 223 ABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET... FDD5N50 , FDD5N50F , FDD5N50NZ , FDD5N50NZF , FDD5N50U , FDD5N53 , FDD6530A , FDD6630A , IRF740 , FDD6635 , FDD6637 , FDD6637F085 , FDD6680AS , STT03N10 , FDD6685 , FDD6760A , FDD6770A .

History: ME8107-G | R6004ENJ | SSM5P16FU | SM2314 | SSF2814EH2 | DMN66D0LW | SQM200N04-1M8

 

 
Back to Top

 


 
.