Справочник MOSFET. FDD8N50NZ

 

FDD8N50NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDD8N50NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для FDD8N50NZ

 

 

FDD8N50NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  fairchild semi
 fdd8n50nz.pdf

FDD8N50NZ FDD8N50NZ

August 2010UniFET-IITMFDD8N50NZN-Channel MOSFET 500V, 6.5A, 0.85Features Description RDS(on) = 0.77 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 3.25A This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS Low Gate Charge ( Typ. 14nC)technology. Low Crss ( Typ. 5pF)This advance technology has been especiall

 ..2. Size:714K  onsemi
 fdd8n50nz.pdf

FDD8N50NZ FDD8N50NZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:223K  inchange semiconductor
 fdd8n50nz.pdf

FDD8N50NZ FDD8N50NZ

Isc N-Channel MOSFET Transistor FDD8N50NZFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... FDD8880 , STS6415 , FDD8882 , STS6409 , FDD8896 , STS6308 , FDD8896F085 , STS4622 , STP65NF06 , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , FDG410NZ , FDG6301NF085 .

 

 
Back to Top