Справочник MOSFET. FDG410NZ

 

FDG410NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDG410NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SC70
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG410NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  fairchild semi
fdg410nz.pdfpdf_icon

FDG410NZ

March 2009FDG410NZSingle N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 2.2 A, 70 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to Max rDS(on) = 70 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.2 Aimprove the overall efficiency of DC/DC converters using either Max rDS(on) = 77 m at VGS = 2.5 V, ID = 2.0 Asynchronous or conventional switching PWM controllers. It

 ..2. Size:386K  onsemi
fdg410nz.pdfpdf_icon

FDG410NZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , 75N75 , FDG6301NF085 , FDG6306P , FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.