FDG410NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDG410NZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: SC70
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDG410NZ Datasheet (PDF)
fdg410nz.pdf

March 2009FDG410NZSingle N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 2.2 A, 70 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to Max rDS(on) = 70 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.2 Aimprove the overall efficiency of DC/DC converters using either Max rDS(on) = 77 m at VGS = 2.5 V, ID = 2.0 Asynchronous or conventional switching PWM controllers. It
fdg410nz.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , 75N75 , FDG6301NF085 , FDG6306P , FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350