Справочник MOSFET. FDG410NZ

 

FDG410NZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDG410NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.1 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: SC70

 Аналог (замена) для FDG410NZ

 

 

FDG410NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  fairchild semi
 fdg410nz.pdf

FDG410NZ FDG410NZ

March 2009FDG410NZSingle N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 2.2 A, 70 mFeatures General DescriptionThis N-Channel MOSFET has been designed specifically to Max rDS(on) = 70 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.2 Aimprove the overall efficiency of DC/DC converters using either Max rDS(on) = 77 m at VGS = 2.5 V, ID = 2.0 Asynchronous or conventional switching PWM controllers. It

 ..2. Size:386K  onsemi
 fdg410nz.pdf

FDG410NZ FDG410NZ

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... STS4622 , FDD8N50NZ , FDG1024NZ , FDG327N , FDG327NZ , FDG328P , FDG330P , FDG332PZ , IRF730 , FDG6301NF085 , FDG6306P , FDG6308P , FDG6316P , FDG6317NZ , FDG6318P , FDG6318PZ , FDG6320C .

 

 
Back to Top