FDG410NZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDG410NZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SC70

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDG410NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDG410NZ даташит

 ..1. Size:283K  fairchild semi
 fdg410nz.pdf pdf_icon

FDG410NZ

March 2009 FDG410NZ Single N-Channel PowerTrench MOSFET 20 V, 2.2 A, 70 m Features General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to Max rDS(on) = 70 m at VGS = 4.5 V, ID = 2.2 A improve the overall efficiency of DC/DC converters using either Max rDS(on) = 77 m at VGS = 2.5 V, ID = 2.0 A synchronous or conventional switching PWM controllers. It

 ..2. Size:386K  onsemi
 fdg410nz.pdf pdf_icon

FDG410NZ

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... STS4622, FDD8N50NZ, FDG1024NZ, FDG327N, FDG327NZ, FDG328P, FDG330P, FDG332PZ, MMIS60R580P, FDG6301NF085, FDG6306P, FDG6308P, FDG6316P, FDG6317NZ, FDG6318P, FDG6318PZ, FDG6320C