Справочник MOSFET. HM1404B

 

HM1404B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM1404B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 85 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 800 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HM1404B

 

 

HM1404B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:783K  cn hmsemi
hm1404b.pdf

HM1404B HM1404B

40VDS20VGS130A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS=40VVGSS=20VID=130A RDS(ON)=4m(max.)@VGS=10V High Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Applications Power Management in

 8.1. Size:501K  cn hmsemi
hm1404c.pdf

HM1404B HM1404B

HM1404CN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM1404 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 40V,ID =170A RDS(ON)

 8.2. Size:471K  cn hmsemi
hm1404.pdf

HM1404B HM1404B

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 40V,ID =200A RDS(ON)

 8.3. Size:609K  cn hmsemi
hm1404d.pdf

HM1404B HM1404B

HM1404DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM1404D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 40V,ID =200A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top