Справочник MOSFET. HM180N02D

 

HM180N02D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM180N02D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HM180N02D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM180N02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  cn hmsemi
 hm180n02d.pdf pdf_icon

HM180N02D

HM180N02DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

 6.1. Size:991K  cn hmsemi
 hm180n02k.pdf pdf_icon

HM180N02D

HM180N02KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

 6.2. Size:601K  cn hmsemi
 hm180n02.pdf pdf_icon

HM180N02D

HM180N02N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 , AON7410 , HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F .

History: QM3403K | CS6N60F | DMT6004LPS | PJA3430 | VBQA3316 | L1N60I

 

 
Back to Top

 


 
.