Справочник MOSFET. HM2N10

 

HM2N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для HM2N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cn hmsemi
hm2n10.pdfpdf_icon

HM2N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:347K  cn hmsemi
hm2n10b.pdfpdf_icon

HM2N10

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 0.2. Size:377K  cn hmsemi
hm2n10mr.pdfpdf_icon

HM2N10

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:478K  cn hmsemi
hm2n15r.pdfpdf_icon

HM2N10

HM2N15RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM2N15R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM26N18K , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , HM2907 , 18N50 , HM2N10B , HM2N10MR , HM2N15PR , HM2N15R , HM2N20 , HM2N20MR , HM2N20PR , HM2N20R .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.