HM2N15PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2N15PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для HM2N15PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N15PR даташит

 ..1. Size:745K  cn hmsemi
 hm2n15pr.pdf pdf_icon

HM2N15PR

 8.1. Size:478K  cn hmsemi
 hm2n15r.pdf pdf_icon

HM2N15PR

HM2N15R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM2N15R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 150V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:351K  cn hmsemi
 hm2n10.pdf pdf_icon

HM2N15PR

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

 9.2. Size:347K  cn hmsemi
 hm2n10b.pdf pdf_icon

HM2N15PR

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM2807, HM2807D, HM2809D, HM2809DR, HM2907, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, IRF1407, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R