Справочник MOSFET. HM3018SR

 

HM3018SR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3018SR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для HM3018SR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3018SR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1303K  cn hmsemi
hm3018sr.pdfpdf_icon

HM3018SR

J HM3018SR SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS HM3018SR N-channel MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-523 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Low on-resistance Interfacing , Switching Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Easily designed drive circuits Ea

 8.1. Size:1205K  cn hmsemi
hm3018.pdfpdf_icon

HM3018SR

HM3018 / Descriptions SOT-23 N MOS N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,,,Low on-resistance, fast switching speed, low voltage drive, easily designed drive circuits, easy to parallel. / Applications

 8.2. Size:1239K  cn hmsemi
hm3018jr.pdfpdf_icon

HM3018SR

J HM3018JR SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETSHM3018JR N-Channel MOSFET SOT-723 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 8@4V30V100mA13@2.5V1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE APPLICATION Interfacing , Switching Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive makes this device ideal for Portable equipment Drive circuits can be simple Paral

 8.3. Size:412K  cn hmsemi
hm3018kr.pdfpdf_icon

HM3018SR

HM3018KRSilicon N-channel MOSFET100 mA, 30 V Features 31) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 13) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment.24) Easily designed drive circuits. 5) Easy to parallel. SC-70 ESD>500V We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and O

Другие MOSFET... HM2N65R , HM2N70 , HM2N70R , HM2P10PR , HM2P10R , HM3018 , HM3018JR , HM3018KR , IRF520 , HM30N02D , HM30N02K , HM30N02Q , HM30N03K , HM30N04D , HM30N04Q , HM30N10 , HM30N10D .

History: IPB120P04P4-04 | HM3306 | BRCS100N06RA | STL23NM50N | SFF054M | SE30100B | PM514BA

 

 
Back to Top

 


 
.