Справочник MOSFET. HM3305

 

HM3305 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3305
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HM3305

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3305 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:652K  cn hmsemi
hm3305.pdfpdf_icon

HM3305

HM3305N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM3305 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =150A RDS(ON)

 0.1. Size:436K  cn hmsemi
hm3305d.pdfpdf_icon

HM3305

5D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =150A RDS(ON)

 9.1. Size:101K  chenmko
chm3301pagp.pdfpdf_icon

HM3305

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301PAGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 28 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. ( TO-252 )* Super high density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* Hi

 9.2. Size:174K  chenmko
chm3301jgp.pdfpdf_icon

HM3305

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3301JGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.0 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

Другие MOSFET... HM3205D , HM3207 , HM3207B , HM3207BD , HM3207D , HM3207T , HM32N20 , HM32N20F , IRF740 , HM3305D , HM3306 , HM3307 , HM3307A , HM3307B , HM3400 , HM3400B , HM3400C .

History: AFC5606 | NTD5806NT4G | DMT7N65

 

 
Back to Top

 


 
.