Справочник MOSFET. HM4260

 

HM4260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HM4260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:840K  cn hmsemi
hm4260.pdfpdf_icon

HM4260

HM4260N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4260 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =19A Schematic diagram RDS(ON)

 9.1. Size:131K  chenmko
chm4269jgp.pdfpdf_icon

HM4260

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM4269JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 40 Volts CURRENT 6.1 AmpereP-channel: VOLTAGE 40 Volts CURRENT 5.2 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low

 9.2. Size:119K  chenmko
chm4269pa4gp.pdfpdf_icon

HM4260

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM4269PA4GPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 40 Volts CURRENT 14 AmpereP-channel: VOLTAGE 40 Volts CURRENT 12 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.TO-252-4FEATURE* Small flat package. (TO-252-4).280 (7.10).094 (2.40)* Super high dense c

 9.3. Size:689K  cn hmsemi
hm4264b.pdfpdf_icon

HM4260

HM4264BN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4264B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 50V,ID =1 A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , HM40P06K , HM4110 , HM4110T , HM4240 , IRF830 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , CRJF390N65GC , HCA60R150T , MDP10N027TH .

History: PSA13N50 | KHB1D0N60I | 2SK1122 | SWD040R03VLT | FDWS9510L-F085 | AUIRLR3705Z

 

 
Back to Top

 


 
.