Справочник MOSFET. HYG042N10NS1P

 

HYG042N10NS1P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HYG042N10NS1P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 119 nC
   Время нарастания (tr): 97 ns
   Выходная емкость (Cd): 2506 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HYG042N10NS1P

 

 

HYG042N10NS1P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  1
hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf

HYG042N10NS1P HYG042N10NS1P

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

 9.1. Size:1340K  1
hyg045n03la1c1.pdf

HYG042N10NS1P HYG042N10NS1P

HYG045N03LA1C1N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/50ARDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailablePin1(RoHS Compliant)Applications Switching Application Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

 9.2. Size:1346K  1
hyg045n03la1c2.pdf

HYG042N10NS1P HYG042N10NS1P

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

 9.3. Size:1346K  hymexa
hyg045n03la1c2.pdf

HYG042N10NS1P HYG042N10NS1P

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top