HYG042N10NS1P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG042N10NS1P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 119 nC
Время нарастания (tr): 97 ns
Выходная емкость (Cd): 2506 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HYG042N10NS1P
HYG042N10NS1P Datasheet (PDF)
hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information
hyg045n03la1c1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG045N03LA1C1N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/50ARDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailablePin1(RoHS Compliant)Applications Switching Application Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info
hyg045n03la1c2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO
hyg045n03la1c2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .