HM45P02Q - описание и поиск аналогов

 

HM45P02Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM45P02Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 577 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3EP

Аналог (замена) для HM45P02Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM45P02Q даташит

 ..1. Size:548K  cn hmsemi
 hm45p02q.pdf pdf_icon

HM45P02Q

HM45P02Q P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45P02Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-45A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:731K  cn hmsemi
 hm45p02d.pdf pdf_icon

HM45P02Q

HM45P02D P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45P02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-45A RDS(ON)

 8.1. Size:1038K  cn hmsemi
 hm45p03k.pdf pdf_icon

HM45P02Q

HM45P03K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION The HM45P03K uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -45A D S RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4487B , HM4488 , HM4490 , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , HM45N06D , HM45P02D , AON6380 , HM45P03K , HM4606 , HM4606A , HM4606B , HM4606C , HM4606D , HM4611 , HM4611A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.