Справочник MOSFET. HM45P02Q

 

HM45P02Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM45P02Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 577 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3EP

 Аналог (замена) для HM45P02Q

 

 

HM45P02Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  cn hmsemi
 hm45p02q.pdf

HM45P02Q HM45P02Q

HM45P02QP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45P02Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-45A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:731K  cn hmsemi
 hm45p02d.pdf

HM45P02Q HM45P02Q

HM45P02DP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM45P02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-20V,ID =-45A RDS(ON)

 8.1. Size:1038K  cn hmsemi
 hm45p03k.pdf

HM45P02Q HM45P02Q

HM45P03KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION The HM45P03K uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,ID = -45A D SRDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top