HM603K datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HM603K 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HM603K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HM603K даташит
hm603k.pdf
HM N&P-Channel complementary Power MOSFET Description The HM603K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel Schematic diagram VDS =60V,ID =20A RDS(ON)
chm6030lpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6030LPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 40 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power
chm6031lpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6031LPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 55 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power
chm603alpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM603ALPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 20 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power
Другие IGBT... HM5N65F, HM5N65I, HM5N65K, HM5N90, HM5P55R, HM6005A, HM603AK, HM603BK, HY1906P, HM607K, HM609BK, HM609K, HM60N02, HM60N02K, HM60N03, HM60N03D, HM60N03K
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IXFH74N20P | AGM206A | SSU65R420S2 | SST65R1K2S2E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet






