HM6604 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HM6604 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HM6604
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HM6604 даташит
hm6604.pdf
HM6604 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6604 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channel VDS = 20V,ID =3A RDS(ON)
chm6601jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601JGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power
chm6601pagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6601PAGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 16 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. ( TO-252 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * Rugged a
chm6607jgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM6607JGP SURFACE MOUNT Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High
Другие IGBT... HM60N75K, HM610AK, HM640, HM6400, HM6401, HM6408, HM6409, HM6602, AOD4184A, HM6620, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10, HM6N10PR
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM206A | SSU65R420S2 | IXFH74N20P | SST65R1K2S2E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388





