HM80N03I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM80N03I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM80N03I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM80N03I даташит

 ..1. Size:602K  cn hmsemi
 hm80n03i.pdf pdf_icon

HM80N03I

HM80N03I N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM80N03I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.1. Size:583K  cn hmsemi
 hm80n03.pdf pdf_icon

HM80N03I

 7.2. Size:511K  cn hmsemi
 hm80n03k.pdf pdf_icon

HM80N03I

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.3. Size:674K  cn hmsemi
 hm80n03ka.pdf pdf_icon

HM80N03I

HM80N03KA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM80N03KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM7N65F, HM7N65I, HM7N65K, HM7N80, HM7N80D, HM7N80F, HM80N03, HM80N03A, IRF2807, HM80N03K, HM80N03KA, HM80N04, HM80N04K, HM80N05K, HM80N06K, HM80N06KA, HM80N08K