HM80N03I - аналоги и даташиты транзистора

 

HM80N03I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM80N03I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HM80N03I

 

HM80N03I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  cn hmsemi
 hm80n03i.pdf pdf_icon

HM80N03I

HM80N03I N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM80N03I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.1. Size:583K  cn hmsemi
 hm80n03.pdf pdf_icon

HM80N03I

 7.2. Size:511K  cn hmsemi
 hm80n03k.pdf pdf_icon

HM80N03I

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 7.3. Size:674K  cn hmsemi
 hm80n03ka.pdf pdf_icon

HM80N03I

HM80N03KA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM80N03KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HM7N65F , HM7N65I , HM7N65K , HM7N80 , HM7N80D , HM7N80F , HM80N03 , HM80N03A , 10N65 , HM80N03K , HM80N03KA , HM80N04 , HM80N04K , HM80N05K , HM80N06K , HM80N06KA , HM80N08K .

History: 3N324 | 3N201

 

 
Back to Top

 


 
.