Справочник MOSFET. CSD30N70


CSD30N70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: CSD30N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 26 ns
   Выходная емкость (Cd): 195 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CSD30N70



CSD30N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  1


CSD30N70 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CSD30N70 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDS = 30V,ID =55A R

 8.1. Size:727K  1


CSD30N55N-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe CSD30N55 uses advanced trench technology to provideexcellent R , low gate charge and operation with gateDS(ON)voltages as low as 5V. This device is suitable for use as awide variety of applications.Schematic DiagramFeatures VDS = 30V,ID =80AR

 8.2. Size:207K  inchange semiconductor


INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor CSD30N30FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET... HMS8N65K , HMS8N70 , HMS8N70D , HMS8N70F , HMS8N70I , HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , 13N50 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 .


Back to Top