Справочник MOSFET. MDP5N50TH

 

MDP5N50TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP5N50TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MDP5N50TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP5N50TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  magnachip
mdp5n50th.pdfpdf_icon

MDP5N50TH

MDP5N50 N-Channel MOSFET 500V, 5.0 A, 1.4 Features General Description V = 500V DSThe MDP5N50 uses advanced Magnachips I = 5.0A @V = 10V D GSMOSFET Technology, which provides low on-state R 1.4 @V = 10V DS(ON) GSresistance, high switching performance and excellent quality. MDP5N50 is suitable device for SMPS, HID and Applications gener

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
mdp5n50th.pdfpdf_icon

MDP5N50TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP5N50THFEATURESDrain Current : I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.4(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 7.1. Size:1034K  magnachip
mdf5n50zth mdp5n50zth.pdfpdf_icon

MDP5N50TH

MDP5N50Z / MDF5N50Z N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 500V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 5.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 1.4 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device fo

 7.2. Size:1047K  magnachip
mdf5n50fth mdp5n50fth.pdfpdf_icon

MDP5N50TH

MDP5N50F / MDF5N50F N-Channel MOSFET 500V, 4.5 A, 1.55 General Description Features The MDP5N50F/MDF5N50F use advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state resistance, I = 4.5A @V = 10V D GShigh switching performance and excellent quality. RDS(ON) 1.55 @VGS = 10V MDP5N50F/MDF5N50F are suitable device for SMPS, HID and genera

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRF1405 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: SHDC220301

 

 
Back to Top

 


 
.