MDP7N50 - описание и поиск аналогов

 

MDP7N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP7N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для MDP7N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP7N50 даташит

 ..1. Size:1196K  magnachip
mdp7n50.pdfpdf_icon

MDP7N50

MDP7N50 N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9 General Description Features The MDP7N50 uses advanced Magnachip s V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on- I = 7.0A @V = 10V D GS state resistance, high switching performance R

 0.1. Size:1175K  magnachip
mdf7n50bth mdp7n50bth.pdfpdf_icon

MDP7N50

MDP7N50B / MDF7N50B N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9 General Description Features The MDP/F7N50B uses advanced Magnachip s VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 7.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.9 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F7N50B is suitable device for SMPS, high Applications Speed switching an

 0.2. Size:288K  inchange semiconductor
mdp7n50th.pdfpdf_icon

MDP7N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50TH FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.9 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 0.3. Size:288K  inchange semiconductor
mdp7n50bth.pdfpdf_icon

MDP7N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50BTH FEATURES Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.4 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

Другие MOSFET... MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH , MDP13N50TH , MDP18N50TH , MDP5N50TH , IRF640 , MDP9N50TH , MMD60R360QRH , MMD60R580PBRH , MMD65R380QRH , MMD80R1K2PRH , MMD80R1K2QZRH , MMD80R900PCRH , MMD80R900QZRH .

History: AP2306GN | CJQ4406 | WSF4012

 

 

 

 

↑ Back to Top
.