Справочник MOSFET. MDP7N50

 

MDP7N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDP7N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MDP7N50

 

 

MDP7N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1196K  magnachip
 mdp7n50.pdf

MDP7N50 MDP7N50

MDP7N50 N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9 General Description Features The MDP7N50 uses advanced Magnachips V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on- I = 7.0A @V = 10V D GS state resistance, high switching performance R

 0.1. Size:1175K  magnachip
 mdf7n50bth mdp7n50bth.pdf

MDP7N50 MDP7N50

MDP7N50B / MDF7N50B N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9General Description Features The MDP/F7N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 7.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.9 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F7N50B is suitable device for SMPS, high Applications Speed switching an

 0.2. Size:288K  inchange semiconductor
 mdp7n50th.pdf

MDP7N50 MDP7N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50THFEATURESDrain Current : I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

 0.3. Size:288K  inchange semiconductor
 mdp7n50bth.pdf

MDP7N50 MDP7N50

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50BTHFEATURESDrain Current : I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.4(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top