MDP7N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDP7N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 114 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.5 nC
Время нарастания (tr): 29.8 ns
Выходная емкость (Cd): 95.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220
MDP7N50 Datasheet (PDF)
mdp7n50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MDP7N50 N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9 General Description Features The MDP7N50 uses advanced Magnachips V = 500V DS MOSFET Technology, which provides low on- I = 7.0A @V = 10V D GS state resistance, high switching performance R
mdf7n50bth mdp7n50bth.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MDP7N50B / MDF7N50B N-Channel MOSFET 500V, 7.0 A, 0.9General Description Features The MDP/F7N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 7.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.9 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F7N50B is suitable device for SMPS, high Applications Speed switching an
mdp7n50th.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50THFEATURESDrain Current : I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.9(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi
mdp7n50bth.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor MDP7N50BTHFEATURESDrain Current : I = 5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.4(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand soleno
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .