JFQM3N150C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JFQM3N150C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
Тип корпуса: TO3PH
Аналог (замена) для JFQM3N150C
JFQM3N150C Datasheet (PDF)
jfqm3n150c.pdf

JFQM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi
jfqm3n120e.pdf

JFQM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency
Другие MOSFET... JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , 8205A , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP , PJF4NA65A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283