Справочник MOSFET. JFQM3N150C

 

JFQM3N150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFQM3N150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO3PH
 

 Аналог (замена) для JFQM3N150C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFQM3N150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1362K  jiaensemi
 jfqm3n150c.pdf pdf_icon

JFQM3N150C

JFQM3N150C 1500V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced self-aligned planar technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices can be used in various power switchi

 7.1. Size:818K  jiaensemi
 jfqm3n120e.pdf pdf_icon

JFQM3N150C

JFQM3N120E 1200V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... JFPC8N65D , JFPC8N80C , JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , IRFP260 , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP , PJF4NA65A .

 

 
Back to Top

 


 
.