HCS80R380S - аналоги и даташиты транзистора

 

HCS80R380S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HCS80R380S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HCS80R380S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS80R380S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  1
 hcs80r380s.pdf pdf_icon

HCS80R380S

Dec 2019HCS80R380S800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 13 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.38 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL Swi

 8.1. Size:397K  semihow
 hcs80r1k2s.pdf pdf_icon

HCS80R380S

Sep 2020HCS80R1K2S800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

 8.2. Size:399K  semihow
 hcs80r1k2st.pdf pdf_icon

HCS80R380S

Sep 2020HCS80R1K2ST800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.3. Size:399K  semihow
 hcs80r1k4st.pdf pdf_icon

HCS80R380S

Sep 2020HCS80R1K4ST800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVT077R5ND , SVT077R5NS , WML38N60C2 , WMK38N60C2 , WMN38N60C2 , WMM38N60C2 , WMJ38N60C2 , AONR32340C , IRF4905 , HY3007P , HY3007M , HY3007B , HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R , S80N10S .

 

 
Back to Top

 


 
.