ME1303AT3-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME1303AT3-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для ME1303AT3-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME1303AT3-G даташит

 ..1. Size:1098K  matsuki electric
 me1303at3 me1303at3-g.pdf pdf_icon

ME1303AT3-G

ME1303AT3/ME1303AT3-G P-Channel Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1303AT3 is the P-Channel logic enhancement mode power -20V/-3.4A,RDS(ON)=95m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS -20V/-2.4A,RDS(ON)=120m @VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to -20V/-1.7A,RDS(ON)=180

 9.1. Size:1272K  matsuki electric
 me1302at3 me1302at3-g.pdf pdf_icon

ME1303AT3-G

ME1302AT3/ME1302AT3-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1302AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 132 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)= 144 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 185 m @VGS=2.5V minimize on

Другие IGBT... FTP11N08A, JY09M, ME100N03T, ME100N03T-G, ME120N04T, ME1302AT3, ME1302AT3-G, ME1303AT3, IRFP260N, ME13N10A, ME13N10A-G, ME15N25, ME15N25F, ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, ME200N04T-G