ME20N10-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME20N10-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 429 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME20N10-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME20N10-G даташит

 ..1. Size:1167K  matsuki electric
 me20n10 me20n10-g.pdf pdf_icon

ME20N10-G

ME20N10/ME20N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME20N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 98m @VGS=5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.1. Size:846K  cn vbsemi
 me20n10.pdf pdf_icon

ME20N10-G

ME20N10 www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (

 8.1. Size:1097K  matsuki electric
 me20n15 me20n15-g.pdf pdf_icon

ME20N10-G

ME20N15 / ME20N15-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 90m @VGS=10V The ME20N15 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 110m @VGS=7V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially t

 8.2. Size:1216K  matsuki electric
 me20n15f.pdf pdf_icon

ME20N10-G

ME20N15F N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 90m @VGS=10V The ME20N15F is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 110m @VGS=7V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ME13N10A, ME13N10A-G, ME15N25, ME15N25F, ME15N25F-G, ME15N25-G, ME200N04T, ME200N04T-G, 8205A, ME20N15F, ME2301A, ME2301A-G, ME2301DC, ME2301DC-G, ME2301DN, ME2301DN-G, ME2301GC