ME6606D-G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ME6606D-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.39 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 1370 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1167 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
Тип корпуса: DFN2X3
Аналог (замена) для ME6606D-G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ME6606D-G даташит
me6606d-g.pdf
ME6606D-G N-Channel 12V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6606D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.25 m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 1.43 m @VGS=3.8V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 1.8 m @VGS=3.1V minimize on-state resist
me6600d-g.pdf
ME6600D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6600D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 5.7 m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 6.3 m @VGS=3.8V trench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 8.3 m @VGS=3.1V minimize on-state re
me6602d-g.pdf
ME6602D-G Dual N-Channel 12V(S-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME6602D-G is the N-Channel logic enhancement mode power RSS(ON) 3.35 m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RSS(ON) 3.6 m @VGS=3.8V trench technology. This high density process is especially tailored to RSS(ON) 4.3 m @VGS=3.1V minimize on-state r
Другие IGBT... ME55N06, ME55N06-G, ME5602D-G, ME60N03S, ME60N03S-G, ME60N04, ME60N04-G, ME6600D-G, IRF9540N, ME6612D-G, ME6874, ME6874-G, ME70N03S, ME70N03S-G, ME70N10T, ME70N10T-G, ME7232
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71



