MEE3712H - описание и поиск аналогов

 

MEE3712H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE3712H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 572 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MEE3712H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE3712H даташит

 ..1. Size:1283K  matsuki electric
 mee3712h.pdf pdf_icon

MEE3712H

MEE3712H N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 18m @VGS=10V The MEE3712H is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced technology is espec

 7.1. Size:1328K  matsuki electric
 mee3712t.pdf pdf_icon

MEE3712H

MEE3712T N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 18m @VGS=10V The MEE3712T is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced technology is espec

 7.2. Size:1295K  matsuki electric
 mee3712f.pdf pdf_icon

MEE3712H

MEE3712F N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 18m @VGS=10V The MEE3712F is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced technology is espec

 8.1. Size:1198K  matsuki electric
 mee3710t.pdf pdf_icon

MEE3712H

MEE3710T N-Channel 100-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE3710T is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 23m @VGS=10V transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME9435AS-G , ME95N10F , ME95N10F-G , ME96N03-G , MEE2348 , MEE2348-G , MEE3710T , MEE3712F , IRFB4227 , MEE3712T , MEE3716F , MEE3716T , MEE3718T , MEE4292-G , MEE4292HP-G , MEE4292HT , MEE4292K-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.