Справочник MOSFET. MEE4298-G

 

MEE4298-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE4298-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для MEE4298-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4298-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  matsuki electric
 mee4298-g.pdf pdf_icon

MEE4298-G

Preliminary-MEE4298-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=10Veffect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate RDS(ON)11.5m@VGS=4.5V(ETG) technology. This advanced technology is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)t

 7.1. Size:884K  matsuki electric
 mee4298k-g.pdf pdf_icon

MEE4298-G

Preliminary-MEE4298K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298K-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON)8m@VGS=10Veffect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate RDS(ON)11.5m@VGS=4.5V(ETG) technology. This advanced technology is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.2. Size:975K  matsuki electric
 mee4298ht.pdf pdf_icon

MEE4298-G

Preliminary-MEE4298HT N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298HT is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)8m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-res

 7.3. Size:874K  matsuki electric
 mee4298t.pdf pdf_icon

MEE4298-G

Preliminary-MEE4298T N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298T is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)8m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)11.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE4294HT , MEE4294K , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 , 8205A , MEE4298HT , MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G .

 

 
Back to Top

 


 
.