MEE4298HT - описание и поиск аналогов

 

MEE4298HT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MEE4298HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MEE4298HT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4298HT технические параметры

 ..1. Size:975K  matsuki electric
 mee4298ht.pdf pdf_icon

MEE4298HT

Preliminary-MEE4298HT N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298HT is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 8m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-res

 7.1. Size:884K  matsuki electric
 mee4298k-g.pdf pdf_icon

MEE4298HT

Preliminary-MEE4298K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298K-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON) 8m @VGS=10V effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate RDS(ON) 11.5m @VGS=4.5V (ETG) technology. This advanced technology is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.2. Size:913K  matsuki electric
 mee4298-g.pdf pdf_icon

MEE4298HT

Preliminary-MEE4298-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON) 8m @VGS=10V effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate RDS(ON) 11.5m @VGS=4.5V (ETG) technology. This advanced technology is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON) t

 7.3. Size:874K  matsuki electric
 mee4298t.pdf pdf_icon

MEE4298HT

Preliminary-MEE4298T N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4298T is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 8m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 11.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE4294K , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 , MEE4298-G , 4435 , MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G , MEE7296-G , MEE7298-G , MEE7630-G .

 

 
Back to Top

 


 
.