Справочник MOSFET. HCD65R830

 

HCD65R830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD65R830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD65R830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:436K  semihow
 hcd65r830.pdf pdf_icon

HCD65R830

July 2020HCD65R830650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.83 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swi

 8.1. Size:437K  semihow
 hcd65r450.pdf pdf_icon

HCD65R830

Sep 2020HCD65R450650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:413K  semihow
 hcd65r2k7.pdf pdf_icon

HCD65R830

April 2020HCD65R2K7650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.7 100% Avalanche TestedQg, Typ 4.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SM

 8.3. Size:425K  semihow
 hcd65r2k2.pdf pdf_icon

HCD65R830

June 2020HCD65R2K2650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.2 100% Avalanche TestedQg, Typ 6.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SMP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FR5505 | APM9926CCG | WMN90R360S | IRLHM630TRPBF | SFP730

 

 
Back to Top

 


 
.