HCS60R099 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HCS60R099
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HCS60R099 Datasheet (PDF)
hcs60r099.pdf

Dec 2019HCS60R099600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 30.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 75 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220F SYMBOL Swit
hcs60r099st.pdf

Dec 2019HCS60R099ST600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 30.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 75 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S
hcs60r260s.pdf

Sep 2020HCS60R260S600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 14.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.26 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 31 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S
hcs60r150st.pdf

April 2020HCS60R150ST600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL
Другие MOSFET... HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 , HCP65R320 , HCP90R300 , HCP90R450 , HCP90R800 , IRF630 , HCS60R099ST , HCS60R150ST , HCS60R260S , HCS60R260ST , HCS60R900S , HCS65R165ST , HCS65R210ST , HCS65R450S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998