HCS65R830ST - аналоги и даташиты транзистора

 

HCS65R830ST - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HCS65R830ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.83 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HCS65R830ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS65R830ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  semihow
 hcs65r830st.pdf pdf_icon

HCS65R830ST

Jan. 2021HCS65R830ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.83 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.1. Size:421K  semihow
 hcs65r450st.pdf pdf_icon

HCS65R830ST

Sep 2020HCS65R450ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S

 8.2. Size:372K  semihow
 hcs65r165st.pdf pdf_icon

HCS65R830ST

Dec 2019HCS65R165ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 20.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.3. Size:419K  semihow
 hcs65r450s.pdf pdf_icon

HCS65R830ST

Sep 2020HCS65R450S650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCS60R150ST , HCS60R260S , HCS60R260ST , HCS60R900S , HCS65R165ST , HCS65R210ST , HCS65R450S , HCS65R450ST , 2SK3878 , HCS70R180S , HCS70R230S , HCS70R600ST , HCS70R710ST , HCS70R910ST , HCS80R1K2S , HCS80R1K2ST , HCS80R1K4S .

History: 2SK897-MR

 

 
Back to Top

 


 
.