Справочник MOSFET. HCS90R1K0S

 

HCS90R1K0S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS90R1K0S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS90R1K0S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  semihow
 hcs90r1k0s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023HCS90R1K0S900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 13.7 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL

 6.1. Size:543K  semihow
 hcs90r1k6s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023HCS90R1K6S900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 3.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

 8.1. Size:544K  semihow
 hcs90r450s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023HCS90R450S900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 10.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL

 8.2. Size:544K  semihow
 hcs90r800s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023HCS90R800S900V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching lossID 6.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 17.4 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS | 2SK3117

 

 
Back to Top

 


 
.