HCS90R1K0S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HCS90R1K0S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220FS

Аналог (замена) для HCS90R1K0S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS90R1K0S даташит

 ..1. Size:543K  semihow
 hcs90r1k0s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023 HCS90R1K0S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 5.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.0 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 13.7 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

 6.1. Size:543K  semihow
 hcs90r1k6s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023 HCS90R1K6S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 3.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 1.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 9.1 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL S

 8.1. Size:544K  semihow
 hcs90r450s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023 HCS90R450S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 10.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

 8.2. Size:544K  semihow
 hcs90r800s.pdf pdf_icon

HCS90R1K0S

Apr. 2023 HCS90R800S 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 17.4 nC Application Package & Internal Circuit TO-220FS SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HCS70R230S, HCS70R600ST, HCS70R710ST, HCS70R910ST, HCS80R1K2S, HCS80R1K2ST, HCS80R1K4S, HCS80R1K4ST, IRF4905, HCS90R1K6S, HCS90R300S, HCS90R450S, HCS90R800S, HCT70R1K1, HCT70R910, HCT80R850, HCT90R1K4