Справочник MOSFET. HFB1N60F

 

HFB1N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFB1N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 3.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для HFB1N60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFB1N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  semihow
 hfb1n60f.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Oct 2016HFB1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantTO-92 SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value Uni

 7.1. Size:238K  semihow
 hfb1n60s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFB1N60SID = 0.3 A600V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.1. Size:238K  semihow
 hfb1n65s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Dec 2012BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFB1N65SID = 0.3 A650V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:226K  semihow
 hfb1n70s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Dec 2012BVDSS = 700 VRDS(on) typ HFB1N70SID = 0.3 A700V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: APT6030BVR | SDU02N60

 

 
Back to Top

 


 
.