Справочник MOSFET. HFB1N60F

 

HFB1N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFB1N60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HFB1N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  semihow
 hfb1n60f.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Oct 2016HFB1N60F600V N-Channel MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Originative New DesignBVDSS 600 V Very Low Intrinsic CapacitancesID 1A Excellent Switching CharacteristicsRDS(on), Typ 6.5 100% Avalanche TestedQg, Typ 3.7 nC RoHS CompliantTO-92 SymbolSDGAbsolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise specifiedSymbol Parameter Value Uni

 7.1. Size:238K  semihow
 hfb1n60s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Sep 2009BVDSS = 600 VRDS(on) typ HFB1N60SID = 0.3 A600V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.1. Size:238K  semihow
 hfb1n65s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Dec 2012BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFB1N65SID = 0.3 A650V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 9.1. Size:226K  semihow
 hfb1n70s.pdf pdf_icon

HFB1N60F

Dec 2012BVDSS = 700 VRDS(on) typ HFB1N70SID = 0.3 A700V N-Channel MOSFETTO-92FEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology D Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsG Unrivalled Gate Charge : 3.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: MTB25P06FP | SRT10N022HTLTR-G | MMSF3P02HDR2 | SDD04N60 | HGI090NE6AL | PSMG100-05 | DMT6016LFDF

 

 
Back to Top

 


 
.