Справочник MOSFET. HFS10N80A

 

HFS10N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HFS10N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFS10N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:669K  semihow
 hfs10n80a.pdf pdf_icon

HFS10N80A

June 2021BVDSS = 800 VRDS(on) Typ = 0.92 HFS10N80AID = 9.4 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Extended Safe Ope

 6.1. Size:210K  semihow
 hfs10n80.pdf pdf_icon

HFS10N80A

Dec 2010BVDSS = 800 VRDS(on) typ = 0.92 HFS10N80ID = 9.4 A800V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ.) Unrivalled Gate Charge : 58 nC (Typ ) E

 8.1. Size:159K  semihow
 hfs10n65s.pdf pdf_icon

HFS10N80A

March 2014BVDSS = 650 VRDS(on) typ HFS10N65SID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES1 Originative New Design23 Superior Avalanche Rugged Technology1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area

 8.2. Size:302K  semihow
 hfs10n65u.pdf pdf_icon

HFS10N80A

Oct 2013BVDSS = 650 VRDS(on) typ = 0.8 HFS10N65UID = 9.5 A650V N-Channel MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 29 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HFI5N60S , HFP2N60F , HFP4N60F , HFP50N06A , HFP5N60F , HFP730F , HFP830F , HFS10N65JS , IRFZ48N , HFS12N65JS , HFS12N65SA , HFS18N50UT , HFS2N60F , HFS2N60FS , HFS3N80A , HFS4N60F , HFS4N60FS .

History: RFP2N08

 

 
Back to Top

 


 
.